时间：2025/9/1 15:25:05
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H9HKNNNCUUMUBR-NMH 是由SK Hynix生产的一款高带宽内存（HBM2）芯片，专为高性能计算、图形处理和AI加速应用设计。该内存芯片采用3D堆叠封装技术，提供大容量和超高数据传输速率。这款IC的封装形式为CSP（Chip Scale Package），适合高密度和高性能需求的应用场景。
类型：HBM2 SDRAM
容量：2GB / 4GB（根据具体版本）
数据速率：2.4Gbps / 3.2Gbps（根据具体版本）
接口：HBM2
电压：1.2V / 1.8V
封装类型：CSP
封装尺寸：根据具体版本不同而异
工作温度：商业级（0°C至85°C）
引脚数：1024-ball
带宽：约256GB/s（取决于配置）
H9HKNNNCUUMUBR-NMH IC 采用了HBM2技术，具备3D堆叠的DRAM架构，这使得它能够在较小的封装面积内实现极高的内存带宽和容量。其高带宽特性使其特别适用于GPU、AI加速器、网络设备和高性能计算（HPC）系统。此外，该芯片具有较低的功耗和较高的热效率，支持在高性能运行下保持稳定。
该内存芯片通过TSV（Through-Silicon Via）技术实现层间互联，从而显著减少信号延迟并提高数据传输效率。它的设计支持更高的数据密度和更快的访问速度，是需要大量数据处理能力的应用的理想选择。
在可靠性和兼容性方面，H9HKNNNCUUMUBR-NMH IC 符合JEDEC标准，并支持ECC（Error Correction Code）功能以提高数据完整性和系统稳定性。它适用于多种高端计算平台，并可与支持HBM2接口的GPU和FPGA配合使用。
H9HKNNNCUUMUBR-NMH IC 主要应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、AI加速器、数据中心服务器、高端游戏显卡以及网络设备。由于其高带宽和低功耗特性，它也适用于深度学习、机器学习、科学计算和实时渲染等对内存性能要求极高的场景。
H9HNNNNDUMUDAR-NME、H5ANM8N24A0123C、HBM2512M40AS1BF
