时间：2025/9/1 22:52:27
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H9HKNNNCTUMUBR 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用LPDDR4X技术，具有低功耗、高带宽和大容量的特点，适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
类型：LPDDR4X SDRAM
容量：8GB
数据速率：4266Mbps
电压：1.1V / 0.6V
封装类型：FBGA
封装尺寸：130-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9HKNNNCTUMUBR 是一款先进的LPDDR4X SDRAM芯片，具备多项卓越特性，使其成为现代移动设备和高性能嵌入式系统的理想选择。
首先，该芯片采用了LPDDR4X技术，相比于前代LPDDR4，其在数据传输速率上有了显著提升，最高可达4266Mbps，这为设备提供了更高的内存带宽，有助于提升图形处理、多任务处理和整体系统响应速度。同时，LPDDR4X技术通过降低工作电压至1.1V（核心电压为0.6V），实现了更低的功耗，这对于延长移动设备的电池寿命至关重要。
其次，该芯片采用130-ball FBGA封装，具有较高的集成度和较小的封装体积，适合高密度主板设计。这种封装方式也提供了良好的电气性能和热管理能力，有助于确保设备在高负载运行时的稳定性。
H9HKNNNCTUMUBR广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式计算系统、工业自动化设备和车载信息娱乐系统等领域。其高带宽、低功耗和小尺寸特性，使其成为对性能和能效有较高要求的移动与嵌入式平台的理想内存解决方案。
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