H9HKNNNCPMMUJR-NMH 时间：2025/9/2 5:58:50 阅读：24

H9HKNNNCPMMUJR-NMH 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于对内存带宽和容量要求较高的应用场景，如高端服务器、工作站、图形处理器（GPU）以及高性能计算系统等。这款DRAM芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具有低功耗、高数据传输速率和高密度存储的特点，能够在移动设备和嵌入式系统中提供出色的性能。

参数

类型: LPDDR4 SDRAM
　　容量: 8GB
　　电压: 1.1V
　　频率: 3200Mbps
　　封装: BGA
　　工作温度: -40°C 至 85°C

特性

H9HKNNNCPMMUJR-NMH 的主要特性包括其低功耗设计，这使其非常适合用于电池供电设备和对能耗敏感的应用。其LPDDR4接口支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够显著提升系统的整体性能。此外，该芯片采用了先进的制造工艺，具备较高的稳定性和可靠性，在高温环境下也能正常工作。
　　这款DRAM芯片的另一个重要特性是其高存储密度，单颗芯片即可提供8GB的存储容量，有助于减少主板上的内存芯片数量，从而简化电路设计并节省空间。同时，H9HKNNNCPMMUJR-NMH 还支持多种低功耗模式，如深度掉电模式和自刷新模式，有助于进一步降低系统功耗。
　　此外，该芯片支持高带宽数据访问，能够满足需要大量数据吞吐的应用场景，如高清视频处理、复杂图形渲染以及人工智能计算任务。其BGA封装形式提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高负载运行时仍能保持稳定的性能输出。

应用

H9HKNNNCPMMUJR-NMH 主要用于高性能计算设备和高端电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、图形加速卡、服务器内存模块以及嵌入式系统等。在智能手机领域，该芯片能够为多任务处理、游戏运行和高清视频播放提供强有力的支持。在服务器和工作站中，它可提升内存带宽，加快数据处理速度，适用于需要大量内存资源的应用如数据库管理、虚拟化环境和云计算服务。此外，该芯片也适用于高端游戏主机和AR/VR设备，以满足其对内存性能的高要求。