时间：2025/9/2 7:09:36
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H9HCNNNFAMMLXR-NEE 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存产品系列的一部分。这款内存芯片主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及其他对内存带宽和容量有高要求的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，支持低功耗运行，并具备较高的数据传输速率。
类型：DRAM
容量：2GB
数据速率：2400Mbps
电压：1.2V
封装类型：FBGA
接口类型：XDR2
工作温度：-40°C至+85°C
数据宽度：16位
时钟频率：1200MHz
H9HCNNNFAMMLXR-NEE 芯片采用了先进的XDR2（eXtreme Data Rate 2）技术，提供更高的带宽和更低的延迟，使其适用于对内存性能要求极高的系统。其低电压设计（1.2V）有助于降低功耗和热量产生，从而提升整体系统的能效。此外，该芯片支持自动刷新、自刷新以及温度补偿自刷新等节能模式，确保在不同环境条件下都能稳定运行。
该芯片的封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具备良好的电气性能和热管理能力，适用于紧凑型高密度PCB布局。其高数据速率（2400Mbps）和16位的数据总线宽度，使得数据传输更加高效，满足高性能计算和实时数据处理的需求。
在可靠性和兼容性方面，H9HCNNNFAMMLXR-NEE 符合JEDEC标准，并通过了严格的测试，确保其在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作。这使其适用于工业自动化、通信基础设施、高端图形处理等严苛环境下的应用。
H9HCNNNFAMMLXR-NEE 主要用于高性能计算系统、高端图形处理单元（GPU）、游戏主机、网络交换设备、服务器内存模块以及需要高带宽内存支持的嵌入式系统。其出色的带宽性能和低功耗特性也使其适用于AI加速器、深度学习推理设备和数据中心存储解决方案。此外，该芯片还可用于高端消费电子产品，如4K/8K智能电视、高性能机顶盒等需要大容量高速内存支持的设备。
H9HCONNFBMMLR-NEE、H9HPNNNCAVARXR、H9HQNNNEDPMMDR、H9HA11AECMMLXR-NEE
