时间：2025/9/2 0:53:23
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H9HCNNNECMMLTR-NEE 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存）芯片。该型号内存芯片专为移动设备和高性能计算应用设计，具有高速传输速率、低功耗和高集成度等优点，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等领域。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
电压：1.1V / 1.8V
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：138-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据宽度：16位
时钟频率：1600MHz
JEDEC标准：符合JEDEC LPDDR4标准
H9HCNNNECMMLTR-NEE 采用先进的DRAM制造工艺，具有出色的性能和能效。其LPDDR4架构支持高达3200Mbps的数据传输速率，满足现代移动设备对高带宽内存的需求。该芯片支持多银行架构和突发长度调节功能，提升内存访问效率。此外，其低电压设计（1.1V / 1.8V）显著降低了功耗，延长了电池续航时间。封装方面，该芯片使用138-ball FBGA封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型主板设计。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保了在各种环境下的稳定运行。芯片内置温度传感器和自动刷新机制，确保数据完整性与稳定性。同时，该芯片兼容JEDEC标准，便于在不同系统中集成和替换。
H9HCNNNECMMLTR-NEE 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统、高性能嵌入式计算平台以及工业控制设备等需要大容量、高速度和低功耗内存的场景。
H9HKNNNCEMMCR-NEE, H9HPNNNCEMMMDAR, H9HQNNNCEMMMDAR
