容量：2GB / 4GB / 8GB（具体视型号而定）
　　内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
　　带宽：每堆栈高达 256 GB/s
　　工作电压：1.3V 或 1.2V（视具体配置而定）
　　封装方式：PoP（Package on Package）
　　TSV技术：支持
　　数据速率：2.4 Gbps 或更高
　　接口类型：多通道并行接口
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：根据主芯片平台而定，通常为 12×12 mm 或类似

H9HCNNNCPUMLHR-NMO 是一款高性能的HBM2内存模块，其核心优势在于高带宽、低延迟和节能设计。该模块通过TSV技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，并与主处理器（如GPU或FPGA）封装在一起，从而极大缩短了信号路径，降低了延迟并提高了数据传输效率。
　　这款内存模块的带宽性能非常突出，能够满足如深度学习、高性能计算和图形渲染等对内存吞吐量有极高要求的应用场景。相比传统GDDR5或DDR4内存，HBM2在单位面积上提供更高的带宽密度，同时降低了功耗。此外，H9HCNNNCPUMLHR-NMO 的低功耗设计使其在高负载运行时也能保持良好的能效比，适用于对热管理有严格要求的设备。
　　该模块支持多通道并行访问，数据传输速率高达2.4 Gbps以上，能够实现每堆栈超过256 GB/s的数据带宽。这种设计使其成为NVIDIA和AMD等厂商高端GPU产品中显存系统的理想选择。由于采用了PoP封装技术，它可以直接堆叠在GPU或FPGA芯片之上，节省了PCB空间，提高了系统集成度。

H9HCNNNCPUMLHR-NMO 主要应用于高端图形处理单元（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）、人工智能加速器和高性能计算（HPC）系统。它也被用于深度学习训练和推理、科学计算、3D渲染以及需要大量内存带宽的嵌入式系统。

H9HCRNNCDBMLHR-NME0, H9HC4NDDARMLHR-NME0, H5ANM8NM26A027N, HBM2-256M48A2A4BR