时间：2025/9/1 17:07:46
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H9HCNNNCPUMLHR-NMN是一款由SK Hynix公司制造的高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于现代计算设备和嵌入式系统中。这款DRAM芯片通常被设计用于移动设备，例如智能手机、平板电脑以及便携式电子设备，以提供高存储密度和快速数据访问能力。H9HCNNNCPUMLHR-NMN的具体规格和功能使其在功耗和性能之间实现了良好的平衡。
容量：1GB/2GB/4GB/8GB
封装类型：BGA（球栅阵列）
接口类型：LPDDR4
频率：1600MHz/2133MHz/3200MHz可选
电压：1.1V/1.8V
数据宽度：16位/32位
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9HCNNNCPUMLHR-NMN采用了先进的DRAM制造工艺，具有低功耗设计，适合移动设备的节能需求。其LPDDR4接口支持高速数据传输，能够满足现代设备对性能的高要求。此外，这款芯片的封装形式为BGA，这不仅提高了封装密度，还增强了散热性能和可靠性。H9HCNNNCPUMLHR-NMN支持多种工作温度范围，适用于各种环境条件下的稳定运行。
这款DRAM芯片还支持多种电源管理功能，例如深度电源关闭模式和自刷新模式，可以进一步降低功耗并延长设备电池寿命。H9HCNNNCPUMLHR-NMN的高可靠性设计使其成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择，尤其是在需要高性能内存解决方案的场景中。
H9HCNNNCPUMLHR-NMN主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机以及需要高性能和低功耗存储解决方案的设备。它也适用于需要快速数据处理和大容量内存的高端电子产品。
H9HCNNNCQUMMQR-NMN, H9HCNNNDQUMMQR-NMN
