时间：2025/9/1 21:11:34
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H9HCNNNBUUMLHR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有低功耗和高数据传输速率的特点，适用于需要大量数据处理和高速缓存的应用场景。H9HCNNNBUUMLHR 通常用于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备中，以提供快速的数据存储和访问能力。
容量：4GB
电压：1.8V
数据速率：1600Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：128
工作温度：-40°C至85°C
存储温度：-55°C至100°C
H9HCNNNBUUMLHR 芯片采用了先进的制造工艺，使其在保证高性能的同时，实现了较低的功耗。其1.8V的工作电压有助于减少设备的能耗，延长电池寿命，特别适合用于便携式电子产品。该芯片的数据传输速率达到1600Mbps，能够满足对数据处理速度有较高要求的应用场景，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。H9HCNNNBUUMLHR 使用FBGA封装技术，这种封装方式不仅能够提高芯片的散热性能，还能减小芯片的体积，使其更易于集成到各种设备中。
此外，H9HCNNNBUUMLHR 的工作温度范围为-40°C至85°C，存储温度范围为-55°C至100°C，这使得它能够在各种环境条件下稳定工作，适应不同的使用场景。其128个引脚的设计，确保了芯片与主板之间的良好连接，提高了数据传输的可靠性。
H9HCNNNBUUMLHR 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备，如高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子设备。由于其高数据传输速率和低功耗的特点，这款DRAM芯片非常适合用于处理大量数据的应用场景，如高清视频播放、大型游戏和多任务处理。此外，H9HCNNNBUUMLHR 还可用于工业控制设备、网络通信设备和汽车电子系统中，以提供高效的数据存储和访问能力。
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