时间：2025/9/2 3:05:48
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H9HCNNNBPUMLHR-NMN是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及嵌入式系统等对内存容量和速度有较高要求的应用场景。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备较高的存储密度和较低的功耗特性。H9HCNNNBPUMLHR-NMN属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，支持高速数据传输率，适用于移动设备和需要节能设计的系统。
类型：DRAM
子类型：LPDDR4
容量：8Gb（Gigabit）
组织结构：x16
电压：1.1V
接口：LPDDR4标准接口
封装：BGA（Ball Grid Array）
封装尺寸：根据具体规格
工作温度范围：工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）
数据速率：支持高达3200Mbps（兆比特每秒）
时钟频率：高达1600MHz
数据预取：2n预取架构
自刷新功能：支持自动刷新和自刷新
封装引脚数：134 balls
JEDEC标准兼容：符合JEDEC LPDDR4标准
H9HCNNNBPUMLHR-NMN具备多项先进的性能和技术特点。首先，它采用了LPDDR4技术，支持高速数据传输，适用于需要快速内存访问的应用场景。其1.1V的核心电压设计显著降低了功耗，提高了能效，非常适合移动设备和低功耗系统。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，从而提高系统的稳定性。
该DRAM芯片的x16数据宽度架构提供了较高的带宽效率，确保了数据传输的稳定性和高效性。其BGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了散热性能，有助于提高设备的长期可靠性。此外，H9HCNNNBPUMLHR-NMN符合JEDEC标准，确保了与各种主流处理器和控制器的兼容性。
在系统集成方面，该芯片支持多Bank架构，允许同时执行多个操作，提升内存访问效率。其设计还支持低功耗模式，在设备空闲时可自动进入节能状态，进一步延长电池续航时间。这些特性使得H9HCNNNBPUMLHR-NMN成为高性能计算平台、高端智能手机、平板电脑以及嵌入式设备的理想选择。
H9HCNNNBPUMLHR-NMN广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备中。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑等移动设备，服务器和网络设备中的缓存系统，以及工业自动化、车载电子系统等嵌入式应用。此外，该芯片也适用于高端消费电子产品，如智能电视、游戏机和可穿戴设备。在服务器和数据中心领域，该DRAM芯片可作为高速缓存或主存储器使用，提升系统的响应速度和处理能力。
H9HCNNNBPUMLHR-NEC H9HCNNNBPUMLHR-NEN H9HCNNNBPUMLHR-NTH
