时间：2025/9/2 4:18:09
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H9HCNNNBKUMLXR-NEE 是由Hynix（现代半导体）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度DRAM系列。这款芯片通常用于需要高速数据处理和大容量内存的应用，例如服务器、网络设备、高端嵌入式系统和图形处理设备等。其设计目标是提供出色的性能和可靠性，以满足现代电子设备对数据处理速度和内存容量的日益增长的需求。
容量：256Mb
类型：DRAM
封装：168-ball FBGA
工作电压：2.3V - 3.6V
数据速率：166MHz
组织结构：x16
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9HCNNNBKUMLXR-NEE 是一款高性能的DRAM芯片，具备高速存取能力和较大的存储容量，适用于对内存性能要求较高的应用环境。该芯片采用先进的DRAM技术，能够在高速运行的同时保持较低的功耗，这对于需要长时间运行的设备来说是一个重要的优势。
该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新模式，这使得它能够在不同的工作环境下保持数据的稳定性。此外，H9HCNNNBKUMLXR-NEE 提供了多种功能，如突发模式支持和低功耗模式，以提高系统的灵活性和能效。
封装方面，该芯片采用168-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式不仅节省空间，还提高了芯片的散热性能，使得芯片能够在高负载情况下保持稳定的运行。FBGA封装也有助于减少引脚之间的干扰，提高信号完整性。
该芯片的宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源环境，增加了其在不同系统中的兼容性。此外，其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了它在各种工业和嵌入式应用中的可靠性。
H9HCNNNBKUMLXR-NEE 主要应用于需要高性能内存支持的设备，如网络交换机、路由器、服务器主板、工业控制设备以及嵌入式计算平台。此外，它也常用于图形处理设备和高性能计算模块，以满足这些设备对内存带宽和容量的高要求。
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