时间：2025/9/1 23:12:29
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H9HCNNN4KUMLHR-NMO 是由SK hynix（海力士）生产的一种高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列。该型号专为移动设备和高性能计算应用设计，具有较高的数据传输速率和能效，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗敏感的设备。
容量：4GB（Gigabit）
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：168
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口类型：LPDDR4
H9HCNNN4KUMLHR-NMO 具备多项先进的性能和设计特点，使其在移动设备和嵌入式系统中表现出色。首先，该芯片采用了LPDDR4标准，使其在保持高性能的同时显著降低功耗。工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3的1.2V进一步降低了能耗，有助于延长电池续航时间。
其次，该DRAM芯片的数据传输速率高达3200Mbps，能够满足高分辨率视频处理、多任务运行和大型应用程序的内存需求。其168 FBGA封装形式不仅保证了良好的电气性能，还提升了封装的可靠性和空间利用率，适合紧凑型设备设计。
H9HCNNN4KUMLHR-NMO 主要应用于对性能和能效要求较高的电子设备。例如，在智能手机中，该芯片能够提供足够的内存带宽，支持4K视频播放、大型游戏、AI计算等高负载任务。在平板电脑和轻薄笔记本电脑中，它也能有效提升多任务处理能力，增强用户体验。
此外，该芯片适用于嵌入式系统和工业控制设备，如智能摄像头、边缘计算设备和物联网（IoT）网关。其低功耗特性使得它非常适合用于依赖电池供电的设备，同时其高可靠性和宽工作温度范围也满足了工业级应用的严苛要求。在汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），该芯片同样能够提供稳定的内存支持。
H9HKNNN8ASMLHR-NEC, H9HNNN87PMMLHR-NME, H9HOUMN8JAMRUR-NME
