时间：2025/9/1 21:32:23
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H9HCNNN4KUMLHR-NMN是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，具有低功耗、高带宽和高容量的特点。
容量：4GB（Gigabytes）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：186-ball BGA
频率：3200Mbps
电压：1.1V
接口：x16
工作温度范围：-40°C至85°C
H9HCNNN4KUMLHR-NMN是SK Hynix推出的一款高性能低功耗内存芯片，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高带宽内存的移动计算设备。其核心特性包括：
1. **高容量与高性能**：该芯片提供了4GB的存储容量，并支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足现代移动设备对大容量内存和快速数据处理的需求。
2. **低功耗设计**：采用LPDDR4技术，电压为1.1V，相比前代LPDDR3显著降低了功耗，有助于延长电池续航时间，适用于对功耗敏感的移动设备。
3. **紧凑封装**：采用186-ball BGA封装形式，体积小巧，适合高密度PCB布局，节省空间的同时提高了系统的集成度。
4. **宽工作温度范围**：支持-40°C至85°C的工作温度范围，适用于各种严苛的环境条件，确保设备在极端温度下仍能稳定运行。
5. **多银行架构与预取机制**：LPDDR4支持多银行并行操作和8n预取技术，提升了内存带宽效率，降低了延迟，提高了系统整体性能。
H9HCNNN4KUMLHR-NMN主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统和高性能计算模块（如AI加速器、图像处理单元等）。由于其低功耗和高带宽特性，也适用于物联网（IoT）设备、可穿戴设备和车载信息娱乐系统（IVI）等对能效要求较高的应用领域。
H9HKNNN8ASMLHR-NEC
