时间：2025/9/2 6:42:39
阅读：9
H9DP4GK4JJBCGR-4EM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动内存产品线的一部分。该芯片采用LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）技术，专为高性能和低功耗需求而设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子设备等领域。H9DP4GK4JJBCGR-4EM 提供了较高的数据传输速率和存储容量，同时通过低电压操作来优化能效，是现代移动设备和便携式电子产品中的理想内存解决方案。
类型：DRAM
接口标准：LPDDR4
容量：4GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：153
工作温度：-40°C至85°C
H9DP4GK4JJBCGR-4EM 采用了先进的LPDDR4技术，具备高速数据传输能力，最高可达3200Mbps的数据速率，能够满足高性能计算和图形处理的需求。
该芯片的低电压设计（1.1V）有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间，同时减少了热量的产生，提高了系统的稳定性。
它采用了153引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于对体积和功耗有严格要求的便携式设备。
这款DRAM芯片支持多种操作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以适应不同的应用场景和性能需求。
此外，H9DP4G4JJBCGR-4EM 还具备较高的可靠性和耐用性，能够在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业级和消费级电子产品。
H9DP4GK4JJBCGR-4EM 主要用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，以支持流畅的多任务处理、高清视频播放和复杂的游戏运行。
该芯片也广泛应用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备，为这些设备提供高速数据存储和处理能力。
在汽车电子领域，H9DP4GK4JJBCGR-4EM 可用于车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），以提升系统的响应速度和数据处理能力。
此外，该芯片还适用于工业控制设备、智能穿戴设备和边缘计算设备，满足这些设备对高性能和低功耗内存的需求。
H9HP53A8JJRNYC-4EM, H9DR46C8JJBCUR-4EM
