类型：DRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　封装类型：168-ball FBGA
　　电压：1.2V（VDD）/ 1.2V（VDDQ）
　　接口：x4
　　时钟频率：1600MHz
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：x4
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　JEDEC标准：符合DDR4标准

H9DP4GG4JJMCGR-4EMR 采用先进的DDR4技术，提供高速数据传输能力，最高数据速率可达3200Mbps，能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。该芯片的工作电压为1.2V，相比前代DDR3产品，功耗显著降低，提高了能源效率。
　　其168-ball FBGA封装设计确保了良好的电气性能和热管理能力，适合在高密度PCB布局中使用。此外，芯片支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电或低功耗状态下依然能够保持。
　　该DRAM芯片还具备出色的稳定性和可靠性，能够在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内正常工作，适用于严苛环境下的应用需求。此外，它符合JEDEC标准，确保了与其他DDR4设备的兼容性。
　　值得一提的是，H9DP4GG4JJMCGR-4EMR 的x4数据总线宽度设计使其在多芯片并联时具备更高的灵活性，适用于需要扩展存储带宽的应用场景。

H9DP4GG4JJMCGR-4EMR 主要应用于高性能计算设备、服务器、网络交换机、路由器、嵌入式系统以及工业控制设备。其高速数据传输能力和低功耗特性使其成为图形处理、视频流传输、人工智能计算加速以及数据中心存储扩展的理想选择。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如高端笔记本电脑、游戏主机和智能电视，以提升系统整体性能和响应速度。在工业和通信领域，该芯片常用于数据采集系统、视频监控设备、通信基站以及边缘计算设备中，确保系统在高负载下仍能稳定运行。

H9DP4GG4JJMCGR-4EMR 可以考虑的替代型号包括：H9DP4GH2AMACGR-4EMR、H9DP4GH2JJMCGR-4EMR、H9DR4GH2AMACJR-4EMR