H9DP4GG4JJACGR-4EMR 是由SK Hynix生产的一款高性能DRAM芯片,属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)类别。这款存储器专为高性能计算、图形处理和AI加速器等需要极高内存带宽的应用而设计。H9DP4GG4JJACGR-4EMR具有多通道架构和堆叠式封装技术,能够提供远高于传统GDDR5或DDR4内存的带宽和能效。其设计旨在满足现代GPU和AI加速器对内存带宽和功耗的严苛要求。
类型:DRAM(HBM2)
容量:4GB
数据速率:2.4Gbps
带宽:约307GB/s(总带宽,基于8个通道)
封装类型:堆叠式BGA
工作电压:1.3V
温度范围:商业级(0°C 至 85°C)
接口:HBM2接口
通道数:8个独立通道
H9DP4GG4JJACGR-4EMR 的主要特性包括:
? 高带宽:通过8个独立通道提供高达307GB/s的带宽,显著提高数据传输效率。
? 堆叠式封装:采用3D堆叠技术,多个DRAM芯片垂直堆叠在一个封装中,节省PCB空间并提高密度。
? 低功耗:相比传统GDDR5内存,HBM2技术提供了更高的能效,适用于高性能计算和图形应用。
? 多通道架构:8个独立的I/O通道可并行处理数据,减少延迟并提升吞吐量。
? 高容量:单个HBM2模块提供高达4GB的存储容量,适合需要大内存缓存的应用场景。
? 高可靠性:支持ECC(错误校正码)功能,提高数据完整性和系统稳定性。
? 优化的热管理:由于堆叠结构和低功耗设计,散热效率更高,适合高密度系统设计。
H9DP4GG4JJACGR-4EMR 主要应用于需要高带宽内存的设备和系统,如:
? 高端GPU和显卡:用于图形渲染、深度学习和AI推理任务。
? AI加速器:提供快速的数据访问能力,满足机器学习模型的训练和推理需求。
? 高性能计算(HPC)系统:支持科学计算、仿真和数据分析等计算密集型任务。
? 网络设备:用于高速数据包处理和缓存管理。
? 企业级服务器:提供高带宽内存支持,适用于数据库和虚拟化环境。
H9DR4GH2ACMLHR-4EMR, H9DQ4GH2ACMLHR-4EMR