时间：2025/9/2 5:02:21
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H9DP4GG4JJACGR-4EM是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，通常用于需要高性能存储的应用领域。这款芯片采用先进的制造工艺，具备高速数据传输能力，适用于高端计算设备、服务器、图形加速器等需要大容量内存和高数据吞吐量的系统。H9DP4GG4JJACGR-4EM的设计旨在满足现代高性能计算对内存带宽和容量的严格要求。
制造商：SK hynix
产品类型：DRAM
型号：H9DP4GG4JJACGR-4EM
存储容量：4GB
封装类型：BGA（Ball Grid Array）
引脚数量：未明确，但属于高密度BGA封装
工作电压：1.2V或更低（具体取决于设计）
数据传输速率：高达3200Mbps（具体取决于版本）
时钟频率：1600MHz
接口类型：支持JEDEC标准的GDDR6接口
温度范围：工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）
封装尺寸：根据具体BGA设计而定
内存架构：GDDR6 SDRAM
H9DP4GG4JJACGR-4EM是一款基于GDDR6技术的高性能DRAM芯片，具备出色的带宽和低延迟特性，适合用于图形处理、人工智能加速和高性能计算等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有更高的能效比，能够在更低的电压下运行，从而减少整体功耗。
该芯片的高带宽特性使其能够在单位时间内传输大量数据，显著提升系统的处理能力。此外，H9DP4GG4JJACGR-4EM采用了先进的信号校正技术，确保在高速运行时仍能保持稳定的信号完整性。
其封装设计优化了电气性能和散热能力，适合在高密度系统中使用，同时具备良好的兼容性，支持主流的内存控制器架构。该芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
H9DP4GG4JJACGR-4EM广泛应用于需要高性能内存的系统中，包括高端显卡、游戏主机、AI加速卡、深度学习服务器、高性能计算设备以及数据中心的内存模块。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合用于图形渲染、大规模并行计算、实时数据分析等高性能计算任务。
H9DR4GH6HCACUR-4EM，H9DPCFB8TFRACUR-4EM
