容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：x16
　　电压：1.5V（工作电压）
　　时钟频率：800MHz（对应CL为5.25ns）
　　数据速率：1600Mbps
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：138-ball FBGA
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
　　工艺制程：基于先进纳米级DRAM制造工艺

H9DH4GH4JJAPER-4EM 具备多项先进的技术特性，使其在移动设备和高性能计算应用中表现出色。首先，它支持LPDDR3（低功耗双倍数据速率第3代）标准，提供高数据传输速率的同时保持较低的功耗，非常适合对电池续航有较高要求的设备。其次，该芯片采用差分时钟（Differential Clock）和数据选通（Data Strobe）机制，确保高速数据传输时的稳定性与可靠性。
　　此外，H9DH4GH4JJAPER-4EM 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和预充电功率下降模式（Precharge Power-Down Mode），这些模式能够有效降低系统整体功耗，延长设备使用时间。芯片内部集成了模式寄存器（Mode Register），允许用户通过编程方式配置不同的操作模式，如突发长度（Burst Length）、CAS延迟（CAS Latency）等，以适应不同应用场景的需求。
　　该DRAM芯片还具备良好的兼容性，能够与主流的应用处理器和SoC（系统级芯片）配合使用，如Qualcomm Snapdragon系列、Samsung Exynos系列等。其138-ball FBGA封装形式不仅减小了PCB布局空间，还提升了信号完整性和散热性能，适用于高密度主板设计。

H9DH4GH4JJAPER-4EM 主要应用于对高性能和低功耗有较高要求的移动设备和嵌入式系统。例如，它可以作为智能手机和平板电脑中的主内存，为多任务处理、图形渲染和多媒体播放提供足够的带宽支持。在智能穿戴设备中，如智能手表和智能眼镜，该芯片的低功耗特性可以有效延长设备的续航时间。此外，H9DH4GH4JJAPER-4EM 还广泛用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及工业级嵌入式控制系统中，满足这些系统对实时数据处理和高可靠性运行的需求。对于需要快速启动和高效运行的操作系统和应用程序，如Android系统、Linux系统等，该DRAM芯片也能提供稳定可靠的内存支持。

H9DR4GH4BJAUMR-4EM, H9DQ4GH4BJALMR-4EM, H9DQ4GH4JJALMR-4EM, MT48LC16M16A2B4-6A, KMRx2000128_H9DH4GH4JJAPER