H9DA8HH4JJAMCR-4EMR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片,广泛用于数据存储应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的可靠性和稳定性,适用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备、工业级存储解决方案等领域。该器件为BGA封装形式,便于在高密度PCB设计中使用。
型号: H9DA8HH4JJAMCR-4EMR
制造商: SK Hynix
类型: NAND Flash
容量: 8GB
封装类型: BGA
引脚数: 52
电压范围: 2.7V - 3.6V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
接口: ONFI 2.0
读取速度: 最大 50MB/s
写入速度: 最大 25MB/s
H9DA8HH4JJAMCR-4EMR NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性,确保其在各种应用环境下的高性能和稳定性。该芯片采用ONFI 2.0兼容接口,提供高达50MB/s的读取速度和25MB/s的写入速度,适合中等至高性能的存储应用需求。其BGA封装形式不仅节省空间,还提高了封装密度,适用于紧凑型电子设备的设计。
该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够检测并纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。此外,它还支持坏块管理,允许系统在出厂前或运行过程中跳过不可用的存储块,从而延长设备的使用寿命。
H9DA8HH4JJAMCR-4EMR的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级工作环境,能够在严苛的温度条件下稳定运行。电源电压范围为2.7V至3.6V,使其在不同的电源条件下仍能保持正常工作,增强了其适应性。
该芯片还具备低功耗设计,适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。其高可靠性和长寿命(通常擦写次数可达10万次)也使其成为工业自动化、通信设备、医疗设备等领域的理想选择。
H9DA8HH4JJAMCR-4EMR NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式和工业级存储解决方案中。其主要应用包括固态硬盘(SSD)、工业控制设备、通信设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统(如智能卡、POS终端)、医疗设备以及车载电子系统等。由于其宽温工作范围和高可靠性,特别适合在工业和车载环境中使用。
在消费电子领域,该芯片常用于数字电视、机顶盒、游戏设备等需要大容量存储但对功耗和空间有要求的设备中。在工业应用中,H9DA8HH4JJAMCR-4EMR可用于数据采集系统、自动化控制系统、监控设备等,提供稳定的数据存储能力。
此外,该芯片也可用于数据存储扩展模块,例如用于单板计算机(如Raspberry Pi、BeagleBone)或工业级嵌入式主板的存储扩展,满足不同应用场景对存储容量和性能的需求。
H9DA8HH4JJAMCR-4EMR的替代型号包括H9DA8GH4JJAMCR-EM、H9DA8GH4JJAMCR-4EM、H9DA8GH4JJAMCR-EMR等,这些型号在容量、封装和性能方面相似,可根据具体需求选择。