时间：2025/9/2 8:41:58
阅读：30
H9DA8HH4JJAMCR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度NAND闪存芯片。该芯片采用了先进的制程工艺，具备较高的存储容量和稳定性，适用于多种嵌入式存储应用。这款NAND闪存芯片通常用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式多媒体控制器（eMMC）和通用闪存（UFS）设备。
容量：8GB
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：1.8V/3.3V
封装类型：TSOP
数据读取速度：最高50MB/s
数据写入速度：最高20MB/s
擦除速度：最大1.5ms per block
存储温度范围：-40°C至+85°C
H9DA8HH4JJAMCR-4EM 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，具备以下显著特性：
首先，该芯片采用了ONFI 2.3标准接口，支持高速数据传输，确保在大量数据读写时仍能保持稳定性能。其最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，适用于对存储速度有一定要求的应用场景。
其次，H9DA8HH4JJAMCR-4EM 支持双电压供电，包括1.8V和3.3V，这种设计使其能够兼容多种系统平台，并在低功耗环境下运行，适用于移动设备和嵌入式系统。
此外，该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，具备良好的热稳定性和机械强度，适合各种工业级应用环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在极端温度条件下使用。
在可靠性方面，H9DA8HH4JJAMCR-4EM 提供了较强的错误校正能力（ECC），支持坏块管理，确保数据存储的安全性和完整性。同时，其擦除操作仅需约1.5ms，提高了整体的存储效率。
最后，该NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、车载电子设备和消费类电子产品中，具备良好的兼容性和长期供货稳定性。
H9DA8HH4JJAMCR-4EM 主要应用于需要大容量存储和高性能数据处理的嵌入式系统和消费类电子产品。典型应用包括固态硬盘（SSD）控制器、嵌入式多媒体控制器（eMMC）、通用闪存（UFS）模块、工业计算机、车载导航系统、智能电视和机顶盒等设备。其高稳定性和宽温工作范围也使其适用于工业控制和自动化设备中的数据存储模块。
H9DA8HH4JJAMCR-4EM 的替代型号包括 H9DA8HH4JJAMCR-EM、H9DA8HH4JJAMCR 和 H9DA8HH4JJAMCR-4EM0。
