H9DA4GH2JHAMER-4EM 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要大容量非易失性存储的设备中。这款NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的读写速度和较长的使用寿命。
容量:4GB
电压:2.7V - 3.6V
接口类型:Parallel NAND
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9DA4GH2JHAMER-4EM NAND闪存芯片具有多项显著的性能特点。首先,它具备4GB的存储容量,适用于中高端嵌入式设备和便携式电子产品。该芯片支持Parallel NAND接口,具有较高的数据传输速率,能够满足设备对快速数据读写的需求。
其次,该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,使其能够在多种电源条件下稳定运行,增强了系统的兼容性和适应性。此外,H9DA4GH2JHAMER-4EM采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局。
在可靠性方面,该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误,从而提高数据存储的可靠性。同时,它的工作温度范围宽达-40°C至+85°C,适用于各种工业环境,包括高温或低温应用场景。
H9DA4GH2JHAMER-4EM NAND闪存芯片主要应用于需要中高容量非易失性存储的电子设备。其典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器以及工业控制设备等。由于其高速读写能力和良好的环境适应性,该芯片也适用于需要频繁数据更新和存储的物联网(IoT)设备和车载电子系统。
K9F4G08U0C-PCB0, MT29F4G08ABADAWP