时间：2025/9/1 23:13:52
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H9DA4GH2JHAMER-4EM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要大容量非易失性存储的设备中。这款NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺，具有较高的读写速度和较长的使用寿命。
容量：4GB
电压：2.7V - 3.6V
接口类型：Parallel NAND
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9DA4GH2JHAMER-4EM NAND闪存芯片具有多项显著的性能特点。首先，它具备4GB的存储容量，适用于中高端嵌入式设备和便携式电子产品。该芯片支持Parallel NAND接口，具有较高的数据传输速率，能够满足设备对快速数据读写的需求。
其次，该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在多种电源条件下稳定运行，增强了系统的兼容性和适应性。此外，H9DA4GH2JHAMER-4EM采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局。
在可靠性方面，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据存储的可靠性。同时，它的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适用于各种工业环境，包括高温或低温应用场景。
H9DA4GH2JHAMER-4EM NAND闪存芯片主要应用于需要中高容量非易失性存储的电子设备。其典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器以及工业控制设备等。由于其高速读写能力和良好的环境适应性，该芯片也适用于需要频繁数据更新和存储的物联网（IoT）设备和车载电子系统。
K9F4G08U0C-PCB0, MT29F4G08ABADAWP
