容量：4GB
　　接口：ONFI 2.3
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.7V-3.6V
　　数据读取速度：50MB/s
　　数据写入速度：25MB/s
　　擦除速度：2ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储单元：SLC（单层单元）
　　位宽：8位
　　封装尺寸：48-TSOP

H9DA4GH2GJAMCR4EM是一款专为高性能和低功耗设计的NAND闪存芯片，适用于各种嵌入式系统和存储设备。其采用ONFI 2.3接口标准，提供高达50MB/s的读取速度和25MB/s的写入速度，能够满足高速数据存储的需求。此外，该芯片支持SLC（单层单元）存储技术，具有较高的数据可靠性和较长的使用寿命。其工作电压范围为2.7V至3.6V，能够在较宽的电源条件下稳定运行，适用于电池供电设备。
　　这款芯片采用48-TSOP封装形式，便于在PCB板上进行安装和布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种环境条件下稳定工作，适合工业级应用。H9DA4GH2GJAMCR4EM的擦除速度为2ms，能够快速完成数据擦除操作，提高存储效率。同时，该芯片具备良好的兼容性，可与多种控制器和主控芯片配合使用。
　　在设计方面，H9DA4GH2GJAMCR4EM优化了功耗管理，支持低功耗模式，有助于延长移动设备的电池寿命。此外，该芯片内置错误校正功能，能够自动检测并纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。其SLC架构也提供了更高的写入耐久性，适合需要频繁写入和读取的应用场景。

H9DA4GH2GJAMCR4EM广泛应用于各类嵌入式系统和存储解决方案，包括智能手机、平板电脑、工业控制设备、车载导航系统、安防监控设备以及固态硬盘（SSD）。由于其高可靠性、低功耗和良好的兼容性，该芯片也非常适合用于医疗设备、智能穿戴设备和物联网（IoT）终端设备中的数据存储。

H9DA4GH2GJAMCR