H9DA4GH2GJAMCR 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、工业计算机、消费类电子产品等领域。该型号采用先进的制造工艺,具有较高的存储密度和稳定性,适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。
容量:4GB
存储类型:NAND Flash
接口类型:ONFI 2.3
电压:2.7V - 3.6V
封装形式:TSOP
数据读取速度:最高可达50MB/s
数据写入速度:最高可达20MB/s
擦除速度:块擦除时间约1.5ms
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9DA4GH2GJAMCR 是一款高性能的NAND闪存芯片,具备多项技术优势和特点。该芯片采用ONFI 2.3接口标准,确保了与主控芯片之间的高速数据传输。其存储容量为4GB,适合用于嵌入式系统、便携式设备以及工业控制设备等对空间和功耗有要求的应用场景。
该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误,从而提高数据的可靠性和稳定性。此外,H9DA4GH2GJAMCR 具备低功耗特性,能够在多种工作模式下有效降低能耗,延长设备的电池寿命。
封装方面,该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)技术,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种紧凑型电子设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业级应用。
在数据安全性方面,H9DA4GH2GJAMCR 支持坏块管理功能,能够自动识别并跳过损坏的存储单元,确保数据的完整性。此外,该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境下保持稳定工作。
H9DA4GH2GJAMCR NAND闪存芯片主要应用于以下领域:嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、手持终端、消费类电子产品(如MP3播放器、数码相机)、车载电子系统以及智能家电等。由于其高容量、低功耗和宽温特性,非常适合用于需要长期稳定运行的设备中。
在嵌入式系统中,该芯片常用于存储引导代码、操作系统和应用程序。在工业自动化设备中,可用于存储设备配置信息和运行日志。在网络通信设备中,可作为固件存储介质,提高设备的启动速度和运行效率。在消费类电子产品中,适用于需要大容量存储但空间受限的设备,如便携式媒体播放器和智能穿戴设备。
此外,该芯片也广泛用于固态硬盘(SSD)的缓存或主存储单元,提高数据读写性能。在车载系统中,可作为导航数据、行车记录等信息的存储介质,满足车载环境对可靠性和稳定性的要求。
H9DA4GH2JAMUDR, H9DA4GH2KAMUDR, H9DA4GH2JAMCJR, MT29F4G08ABADAWP