时间：2025/5/8 11:48:00
阅读：3
H9DA4GH2GJAMCR-4EM 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，主要用于存储数据。该芯片采用先进的工艺技术制造，具有高密度、低功耗和高性能的特点，适用于各种嵌入式系统、消费类电子设备以及工业应用。这款芯片支持标准的 NAND 接口协议，便于与主控芯片进行数据交互。
该型号中的具体参数可以通过名称解析得到部分信息：H9 表示 SK 海力士的产品系列，DA 表示封装类型为 BGA 封装，4G 表示其容量为 4GB 或者等效的存储空间，后续字符则定义了电压范围、工作温度、性能等级等细节。
容量：4GB
接口：NAND Flash 标准接口
封装形式：BGA
工作电压：1.8V 或 3.3V（依具体应用场景而定）
数据传输速率：高达 50MB/s
擦写寿命：约 3,000 次（基于 MLC 技术）
工作温度：-25°C 至 +85°C
存储温度：-40°C 至 +105°C
H9DA4GH2GJAMCR-4EM 使用多层单元（MLC）技术，提供更高的存储密度和成本效益。同时，该芯片内置 ECC（错误校验与纠正）功能，以确保数据完整性，并且支持块管理、坏块管理等功能，从而优化存储性能和可靠性。
此外，该芯片具备低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电设备或对能效要求较高的场景。
其紧凑的 BGA 封装形式使其能够轻松集成到小型化设计中，进一步满足现代电子设备对空间利用率的需求。
H9DA4GH2GJAMCR-4EM 广泛应用于各类需要非易失性存储器的场合，例如固态硬盘（SSD）、USB 存储设备、内存卡、工业控制模块、汽车电子系统、智能家居设备以及可穿戴设备等。由于其出色的可靠性和稳定性，该芯片也常被用作嵌入式系统的内部存储解决方案。
H9TP4GG8GMAXMR-CEM, H9TQ4GG8GMKGR-CEM
