时间：2025/9/2 6:11:07
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H9DA4GH2GJAM-CR4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具备高存储容量和快速的读写速度，广泛用于需要大容量非易失性存储的电子设备中，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业控制设备、消费类电子产品等。该芯片的封装形式为BGA（Ball Grid Array），尺寸小巧，适合高密度PCB布局。
型号: H9DA4GH2GJAM-CR4EM
制造商: SK Hynix
类型: NAND Flash
容量: 4GB (32Gb)
工艺制程: 3x nm
电压范围: 2.7V - 3.6V
接口类型: ONFI 2.0 / Toggle Mode
最大读取速度: 200 MB/s
最大写入速度: 100 MB/s
封装类型: BGA
引脚数: 50
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
H9DA4GH2GJAM-CR4EM NAND闪存芯片具备多项高性能和高可靠性的特点。首先，它采用ONFI 2.0和Toggle Mode两种接口协议，提供更高的数据传输速率和更灵活的系统设计选择。ONFI接口支持异步和同步模式，适合多种控制器方案；而Toggle Mode则提供了更高的吞吐量，适合高性能应用。其次，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在读写过程中自动检测和纠正数据错误，提高数据的完整性和可靠性。
此外，H9DA4GH2GJAM-CR4EM具备低功耗特性，支持多种节能模式，包括待机模式和深度睡眠模式，非常适合电池供电设备使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、车载系统和安防设备。
H9DA4GH2GJAM-CR4EM NAND闪存芯片适用于多种嵌入式系统和存储解决方案。由于其高容量和高性能，该芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、存储卡、数码相机、MP3播放器等消费类电子产品。同时，它也非常适合工业控制设备、自动化系统、医疗设备和车载导航系统等对数据存储稳定性有较高要求的领域。
H9DA4GH2GJAMCTR-E H9DA4GH2GJAMUMC H9DA4GH2GJAMUMG
