容量：256GB
　　接口类型：ONFI 4.0/TOG
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　数据传输速率：1200MT/s
　　工作温度范围：0°C至85°C

H9DA2GH1GHCMAR-4EMR NAND闪存芯片具有多种先进的技术特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，其256GB的存储容量为设备提供了充足的存储空间，适用于需要大容量存储的应用场景，如企业级SSD、高端消费类电子产品和嵌入式系统。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode接口协议，提供高达1200MT/s的数据传输速率，确保了快速的数据读取和写入能力，从而提升整体系统性能。
　　此外，该NAND闪存采用3.3V供电电压，保证了良好的电源效率和稳定性，同时支持宽温度范围（0°C至85°C），适用于各种工业环境。TSOP封装形式不仅提供了良好的电气性能，还具备较高的机械稳定性和热稳定性，适用于高密度PCB布局。H9DA2GH1GHCMAR-4EMR在数据保持能力和耐久性方面也表现出色，能够满足长时间运行和高负载操作的需求。

H9DA2GH1GHCMAR-4EMR广泛应用于需要高性能、大容量非易失性存储的各类电子设备中。典型应用包括企业级固态硬盘（SSD）、工业控制设备、嵌入式系统、网络存储设备（NAS）、服务器存储模块以及高端消费电子产品。其高数据传输速率和稳定的工作性能，使其特别适合用于需要频繁读写操作和数据密集型处理的场景。此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统、安防监控设备以及工业自动化设备中，提供可靠的存储解决方案。

H9DA2GH1GHCMAR-4EMR 的替代型号包括 H9DA2GH2GAMCPR-4EMR、H9DA2GH2GAMUMC-4EMR、H9DA2GH2GAMUMA-4EMR 等，这些型号在容量、封装和接口特性上相似，适用于类似的高性能存储应用场景。