存储容量：2GB
　　工艺技术：2xnm工艺
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作电压：1.8V/3.3V
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除时间：块擦除时间为1.5ms
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9DA2GH1GHCM-AR4EM NAND闪存芯片具有多项突出特性，首先，其2GB的存储容量能够满足多种嵌入式应用的需求，尤其适合对空间和功耗有严格要求的便携式设备。芯片采用先进的2xnm制造工艺，有效降低了单位成本并提高了集成度。
　　其次，该芯片支持ONFI 2.3接口标准，确保了与主流控制器的兼容性和高效的数据传输能力。其读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足中高端应用对数据吞吐量的需求。
　　此外，H9DA2GH1GHCM-AR4EM的工作电压为1.8V/3.3V双电压供电，具有良好的电源适应性，并在低功耗设计方面表现出色，适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式也便于在PCB上进行安装和布局。
　　该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够检测并纠正数据读取过程中可能出现的错误，从而提高了数据的完整性和系统的稳定性。工作温度范围为-40°C至+85°C，适应于各种严苛的工作环境。

H9DA2GH1GHCM-AR4EM广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **嵌入式系统**：如工业控制设备、医疗仪器、通信设备等，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
　　2. **消费类电子产品**：如MP3播放器、电子书阅读器、便携式导航设备等，提供可靠的存储解决方案。
　　3. **物联网（IoT）设备**：用于智能家电、智能家居控制器等设备中，支持数据的本地存储与处理。
　　4. **车载电子系统**：如车载信息娱乐系统、行车记录仪等，适用于对温度和可靠性要求较高的汽车环境。
　　5. **固态存储设备**：作为低端SSD或eMMC模块的存储介质，满足对成本敏感的应用需求。

H9DA2GH1GHCM-ACPR, H9DA2GH1GHCM-ACPR, H9DA2GH1GHCM-AR4H