H9DA1GH51HAMMR是一种由SK Hynix(海力士)公司生产的NAND闪存芯片。这款芯片主要用于存储应用,适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及其他需要大容量存储的电子设备。该芯片具有高存储密度、低功耗设计以及高可靠性的特点,适合现代消费类电子产品的需求。
存储容量:1GB
存储类型:NAND Flash
封装类型:TSOP
工作电压:2.7V至3.6V
接口类型:并行接口
读取时间:最大70ns
写入时间:最大50ns
擦除时间:最大2ms
工作温度范围:-40°C至+85°C
H9DA1GH51HAMMR是一款高性能的NAND闪存芯片,具备多种关键特性。其1GB的存储容量在当时的应用中提供了充足的存储空间,适用于多种嵌入式系统和便携式设备。
该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)技术,有助于减小设备体积,同时提供良好的散热性能。其并行接口设计支持高速数据读写操作,适用于对存储速度有一定要求的应用场景。
此外,H9DA1GH51HAMMR的工作电压范围为2.7V至3.6V,具有较宽的电压适应能力,适用于不同电源条件下的设备。该芯片的读取和写入时间分别在70ns和50ns以内,确保了快速的数据访问。其擦除时间控制在2ms以内,进一步提升了存储操作的效率。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的环境适应性,能够在极端温度条件下稳定工作。这种特性使其适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
H9DA1GH51HAMMR广泛应用于多种电子设备中,包括智能手机、平板电脑、MP3播放器、数码相机以及便携式游戏设备等。其高存储容量和低功耗特性也使其适用于嵌入式系统和工业控制设备,例如工业自动化控制系统和数据采集设备。此外,由于其良好的温度适应性,该芯片也可用于汽车电子系统,如车载导航系统和车载娱乐系统。
H9DA1GH51GAMVR、H9DA1GH51HANVR、H9DA1GH51IAMBR