型号：H9DA1GH25JMMMR-4EMR
　　制造商：SK Hynix
　　存储类型：NAND Flash
　　容量：1Gbit（128MB）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　接口：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最高可达50MHz
　　写入速度：最高可达50MHz
　　擦除时间：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9DA1GH25JMMMR-4EMR NAND闪存芯片具有多项优异的性能特点。首先，其1Gbit的存储容量适合中等密度的嵌入式应用，可以满足对数据存储有一定需求的场景。该芯片支持ONFI 1.0标准接口，使其能够与多种控制器兼容，提高了设计的灵活性和系统的扩展性。
　　其次，该芯片采用了高可靠性的CMOS工艺制造，具有出色的抗干扰能力和稳定性，适用于工业级工作环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的工业和汽车电子应用。
　　此外，H9DA1GH25JMMMR-4EMR具备高效的读写性能，支持高达50MHz的读写速度，使得数据存取更加迅速，提升了整体系统的响应能力。其块擦除时间为约2ms，较短的擦除时间有助于提高存储操作的效率。
　　该芯片还具备良好的功耗管理特性，在保持高性能的同时，尽可能降低功耗，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。

H9DA1GH25JMMMR-4EMR NAND闪存芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制、固态硬盘（SSD）、数码相机、MP3播放器、网络设备等消费类电子产品。由于其良好的性能和稳定性，该芯片也常用于车载电子系统、智能卡、POS终端以及各种需要非易失性存储的物联网（IoT）设备中。

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