时间：2025/9/2 5:38:13
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H9DA1GH25HAMBR-4EM是一种由SK海力士（SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，专为高性能和高存储密度应用而设计。该芯片的存储容量为1GB，支持多位NAND技术，适用于需要可靠存储解决方案的消费类电子和工业设备。该芯片采用小型BGA封装，适合空间受限的应用场景。
制造商：SK Hynix
产品类型：NAND闪存
存储容量：1GB
封装类型：BGA
引脚数：50
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：ONFI 1.0兼容
电源电压：2.7V至3.6V
最大读取速度：约25MB/s
最大写入速度：约10MB/s
H9DA1GH25HAMBR-4EM NAND闪存芯片具有多种显著特性，使其适用于多种应用场景。首先，该芯片采用了多位存储技术（MLC），在保证较高存储密度的同时，也提供了相对较好的数据保留和耐久性。其次，该芯片支持ONFI 1.0接口标准，使得其与主控芯片的兼容性更强，便于系统集成。此外，该芯片具有较低的功耗特性，适合用于对功耗敏感的便携式设备。其BGA封装形式不仅节省空间，还提高了封装的可靠性，适用于各种严苛的环境条件。
在数据可靠性方面，H9DA1GH25HAMBR-4EM支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据存储的稳定性。此外，该芯片具备良好的耐用性，可支持数千次的编程/擦除周期，适用于频繁写入和读取的应用需求。该芯片还支持坏块管理功能，允许系统在运行过程中自动跳过不可用的存储区域，从而提高整体系统的稳定性和寿命。
H9DA1GH25HAMBR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于需要中等容量非易失性存储的设备中。其典型应用包括数码相机、MP3播放器、便携式游戏机、智能卡设备以及工业控制设备等。由于其低功耗特性和小型封装，该芯片也非常适合用于电池供电设备和嵌入式系统中。此外，该芯片还可用于固件存储和数据缓存应用，为系统提供稳定的存储支持。
H9DA1GH25HAMBR-4EM的替代型号包括三星（Samsung）的K9F1G08U0B和美光（Micron）的MT29F1G08ABBEA。
