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H9DA1GG25HAMBR-4EMR 发布时间 时间:2025/9/2 1:31:51 查看 阅读:9

H9DA1GG25HAMBR-4EMR 是三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度、高性能的NAND闪存产品系列,广泛用于需要大容量存储和高速数据读写的设备中,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式存储系统、工业控制设备和消费类电子产品。这款芯片采用1GB的容量设计,支持ONFI 2.0接口标准,具备较高的读写速度和稳定性。

参数

容量:1GB
  接口:ONFI 2.0
  电压:1.8V/3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  读取速度:最高50MB/s
  写入速度:最高25MB/s
  ECC要求:需要控制器端ECC支持

特性

H9DA1GG25HAMBR-4EMR 是一款高性能的NAND闪存芯片,具备以下关键特性:
  首先,该芯片支持ONFI 2.0接口标准,提供标准化的接口协议,使得控制器的设计更加简便,同时保证了良好的兼容性和数据传输效率。
  其次,该芯片采用低功耗设计,支持1.8V和3.3V双电压供电模式,适用于对功耗敏感的应用场景,如移动设备和嵌入式系统。
  此外,H9DA1GG25HAMBR-4EMR 提供了较大的1GB存储容量,适合用于需要中等至大容量非易失性存储的场合,如数据日志记录、固件存储等。
  该芯片的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),具有良好的机械稳定性和散热性能,适合在工业级环境中使用。
  其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在极端环境条件下仍能稳定运行,适用于工业控制、车载系统和户外设备等应用场景。
  在性能方面,该芯片具备高达50MB/s的读取速度和25MB/s的写入速度,能够满足大部分中高速数据存储需求,同时具备较高的耐用性和数据保持能力。
  最后,该NAND闪存芯片要求外部控制器提供ECC(错误校正码)功能,以确保数据的完整性与可靠性,适用于需要高数据准确性的系统设计。

应用

H9DA1GG25HAMBR-4EMR NAND闪存芯片适用于多种嵌入式和工业应用,包括但不限于:
  1. 固态硬盘(SSD):作为缓存或主存储单元,提升存储系统的整体性能和可靠性。
  2. 工业控制系统:用于存储关键的系统固件、配置数据和运行日志,确保系统在断电情况下仍能保留重要信息。
  3. 车载电子设备:如车载导航系统、行车记录仪和车载信息娱乐系统,满足汽车电子对温度、稳定性和可靠性的严苛要求。
  4. 消费类电子产品:如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电,提供稳定且高效的数据存储解决方案。
  5. 数据采集设备:如工业传感器、环境监测设备和远程终端单元(RTU),用于长时间数据记录和分析。
  6. 通信设备:如路由器、交换机和基站控制器,用于存储操作系统、配置文件和运行日志。
  7. 医疗电子设备:如便携式诊断仪器和监护设备,满足医疗设备对数据存储的高可靠性需求。

替代型号

H9DA1GH25HCTR-4EMR, H9DA1GH25GCTR-4EMR, K9F1G08U0A, K9F1G08U0D

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