时间：2025/9/2 3:45:15
阅读：5
H9DA1GG25HAMBR-4EM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高性能、高密度存储解决方案的一部分，广泛应用于需要大容量存储和高速数据传输的电子设备中，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统和便携式设备等。这款芯片的容量为1GB，采用了高性能的NAND闪存技术，具有可靠的数据存储性能和较长的使用寿命。
容量：1Gb
接口类型：ONFI 2.0
电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最大120MB/s
写入速度：最大50MB/s
H9DA1GG25HAMBR-4EM 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用了先进的制造工艺和ONFI 2.0接口标准，提供了较高的数据传输速率和稳定性。这款芯片支持高速读写操作，适用于多种嵌入式系统和存储设备。其ONFI 2.0接口标准允许与主控器之间进行高效的通信，从而提高整体系统性能。
此外，这款芯片具有较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种环境条件下使用，包括工业级应用。其供电电压范围为2.7V至3.6V，使其能够适应不同的电源管理方案，提高设备的兼容性和可靠性。
H9DA1GG25HAMBR-4EM 还具备良好的数据保持能力和耐久性，能够在长时间的使用过程中保持数据的完整性。这使得它成为许多高性能存储应用的理想选择，包括固态硬盘、多媒体播放器、车载导航系统等。
该芯片广泛应用于需要高容量存储和快速数据访问的设备中，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、便携式电子设备、工业控制设备、车载娱乐系统和网络存储设备等。其高性能和可靠性使其成为工业级和消费级电子产品中不可或缺的存储解决方案。
H9DA1GH25GAMBR-4EM, H9DA1GH25HAMBR-4EM
