时间：2025/9/1 12:11:02
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H9CKNNNDJTMPLR-NUH 是由SK Hynix公司生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM2）的一种。这种存储器设计用于满足高性能计算、图形处理和AI加速器等应用的极高带宽需求。HBM2通过使用堆叠式封装技术（PoP）和硅通孔（TSV）技术，将多个存储层垂直堆叠在一起，从而实现比传统GDDR5或DDR4更高的带宽和更小的PCB空间占用。该芯片的封装形式为BGA，适用于紧凑型设计，通常用于GPU、FPGA和专用AI芯片中。
容量：4GB
类型：HBM2
频率：2000MHz
数据速率：2.0 Gbps/pin
电压：1.3V
封装类型：BGA
通道数：8
带宽：256GB/s
H9CKNNNDJTMPLR-NUH 的最大特点是其高带宽和紧凑的封装设计。
首先，通过采用堆叠式封装和硅通孔技术，HBM2能够在非常小的物理空间内提供极高的带宽，这对于需要大量数据并行处理的GPU和AI加速器尤为重要。
其次，该芯片具有较低的工作电压（1.3V），相比传统GDDR5等显存技术，HBM2在能效方面表现更优，有助于降低整体功耗并减少发热。
此外，H9CKNNNDJTMPLR-NUH 提供了8个独立的通道，每个通道都能独立进行数据传输，这进一步提升了数据吞吐能力。
该芯片支持错误校正码（ECC）功能，可以提高数据完整性与系统稳定性，适用于对可靠性要求较高的计算场景。
最后，其BGA封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并支持更高的组装密度。
H9CKNNNDJTMPLR-NUH 主要用于高性能计算（HPC）、人工智能加速器、图形处理单元（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）以及高端游戏显卡等对带宽和能效要求极高的应用场景。由于其高带宽和低功耗的特性，该芯片也适用于数据中心、机器学习、深度学习、自动驾驶和虚拟现实等前沿技术领域。
H9HCNNNCEUMR-NUH
H9HCVNNDPTMLR-NUH
