时间：2025/9/1 19:17:59
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H9CKNNNDATMUQR-NUH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）系列。这款存储器专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器和数据中心应用设计，提供极高的数据传输速率和能效。H9CKNNNDATMUQR-NUH 采用先进的堆叠式封装技术，实现了比传统GDDR或DDR内存更高的带宽和更小的封装尺寸。
容量：8GB
类型：HBM2
频率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装：1024-ball FBGA
带宽：约307GB/s
温度范围：0°C 至 +85°C
H9CKNNNDATMUQR-NUH 是一款HBM2（High Bandwidth Memory 2）规格的存储器芯片，采用3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠并通过硅通孔（TSV）连接，显著提高了内存带宽。该芯片支持高达2.4Gbps的数据传输速率，提供极高的带宽性能，适用于需要大量数据处理的应用场景。
该存储器的封装尺寸为1024-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)，在保证高性能的同时也具备良好的散热能力。其工作电压为1.3V，能够在较高的温度范围内稳定运行（0°C至85°C），适用于严苛的工业和服务器环境。
此外，H9CKNNNDATMUQR-NUH 采用低功耗设计，结合高带宽优势，使其在AI、GPU和HPC应用中具有出色的能效比。该芯片还支持高级错误检测和纠正功能，提高了系统的稳定性和可靠性。
H9CKNNNDATMUQR-NUH 广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、深度学习训练和推理设备、数据中心服务器、高端游戏显卡以及嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性使其成为需要大规模并行计算和高速数据访问的系统理想选择。
H9HKLN8CUMUMUR-NEH
H5AN8GCMDFR-UH
H9HPNNU8JAMVAR-NEH
