时间：2025/9/2 5:19:12
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H9CKNNNCPTMRPR-NUH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高带宽内存（DRAM）芯片，属于其HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）系列。该芯片设计用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器和高端网络设备等需要极高内存带宽的应用场景。该内存芯片采用堆叠式封装技术（Stacked DRAM Package），通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技术实现多层DRAM芯片的垂直互连，从而显著提高内存带宽并减小封装尺寸。该型号为FBGA封装，具有低功耗、高密度和高速数据传输能力。
容量：8GB
类型：HBM2
频率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装：FBGA
带宽：307GB/s
层数：8层
制造工艺：21nm
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9CKNNNCPTMRPR-NUH 的主要特性包括：1. 极高的内存带宽，单个芯片即可提供高达307GB/s的带宽，非常适合需要快速数据处理的应用；2. 使用硅通孔（TSV）技术实现多层DRAM堆叠，显著减小了封装体积并提高了信号完整性；3. 支持多种低功耗模式，包括自刷新、深度掉电模式等，有效降低系统整体功耗；4. 兼容JEDEC HBM2标准，便于系统集成和兼容性设计；5. 内置错误检测和纠正机制，提高系统稳定性；6. 支持ECC内存功能，适用于高可靠性应用场景；7. 高密度存储能力，单颗芯片容量可达8GB。
此外，该芯片采用先进的21nm制程工艺，进一步提高了集成度和能效。其堆叠封装结构不仅提升了内存带宽，还减少了PCB布线复杂度，降低了寄生电容和信号干扰，从而提升了整体系统性能。由于其出色的性能表现和可靠性，H9CKNNNCPTMRPR-NUH被广泛应用于AI加速器、GPU、高性能服务器、5G基站和网络交换设备等对内存带宽和功耗要求极高的领域。
H9CKNNNCPTMRPR-NUH广泛应用于以下领域：1. 高性能计算（HPC）系统，如超级计算机和科学计算服务器；2. 图形处理器（GPU），用于游戏、图形渲染和AI训练；3. AI加速卡和深度学习硬件，如NVIDIA的AI加速平台；4. 5G基站和通信基础设施，用于高速数据处理和转发；5. 高端FPGA和ASIC芯片，用于数据中心和边缘计算设备；6. 网络交换设备和路由器，用于提升数据吞吐能力和降低延迟；7. 工业自动化和自动驾驶系统，用于实时数据处理和分析。
H9HP53ALVUMDAR-NUH，H9HCNNNCTMMLR-NUH，H5ANM8MJ3MMR
