时间：2025/9/2 3:59:08
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H9CKNNNBRTMTAR-NTH 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，具有低功耗、高带宽和高密度存储的特点。这款芯片通常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备中。
容量：8GB（具体容量可能根据产品规格有所变化）
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
接口：LPDDR4
频率：最高可达4266Mbps（具体频率可能因产品版本不同而有所调整）
电压：1.1V（标准工作电压）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级温度范围）
数据宽度：x16 或 x32（具体取决于配置）
封装尺寸：根据具体型号和封装版本不同而有所变化
H9CKNNNBRTMTAR-NTH 是一款高性能、低功耗的移动存储解决方案，适用于现代移动设备的需求。该芯片采用了先进的制造工艺，能够在保持低功耗的同时提供高速的数据传输能力。其主要特性包括：
? 高速数据传输：支持高达4266Mbps的数据速率，显著提升设备的运行效率和响应速度。
? 低功耗设计：LPDDR4标准的工作电压为1.1V，相比前代产品功耗更低，有助于延长设备的电池续航时间。
? 高存储密度：该型号提供高达8GB的存储容量，满足现代设备对大容量内存的需求，适用于运行复杂操作系统和多任务处理。
? 小型化封装：采用FBGA封装技术，体积小巧，适合紧凑型设备的设计要求。
? 稳定性和可靠性：支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定工作。
? 多重功能优化：支持多种低功耗模式（如自刷新、深度掉电模式等），进一步优化设备的能耗表现。
? 广泛兼容性：符合JEDEC标准，确保与各种移动平台和嵌入式系统的兼容性。
H9CKNNNBRTMTAR-NTH 广泛应用于需要高性能、低功耗和小体积内存解决方案的设备中，包括：
? 智能手机和平板电脑：用于提供快速的多任务处理能力和流畅的用户体验。
? 可穿戴设备：如智能手表、健身追踪器等，满足其对低功耗和小型化设计的要求。
? 嵌入式系统：如工业控制、医疗设备和物联网设备，提供稳定可靠的内存支持。
? 移动计算设备：如轻薄笔记本电脑、二合一平板等，提升设备的性能与电池续航能力。
H9HKNNNCAWMURR-HD, H9HKNNNCCWMURR
