时间：2025/9/2 11:52:40
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H9CKNNNBPTMRLR-NTH 是由SK hynix生产的一种高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）模块，专为高性能计算和图形处理应用设计。该模块采用先进的堆叠式封装技术，通过硅通孔（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直互连，提供极高的数据传输速率和紧凑的封装尺寸。H9CKNNNBPTMRLR-NTH 特别适用于需要大量并行计算能力的GPU、AI加速卡和高端图形显卡。
容量：4GB
内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
带宽：每引脚速率为2.4Gbps，总带宽可达307GB/s（取决于控制器配置）
电压：1.3V
封装类型：FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）
引脚数：1024
工作温度：0°C 至 85°C
制造工艺：基于SK hynix的先进DRAM工艺
封装尺寸：约5.5mm x 7.5mm（堆叠式封装）
H9CKNNNBPTMRLR-NTH 的核心优势在于其极高的带宽和紧凑的封装设计。HBM2 技术使得内存模块能够在相对较小的物理空间内提供远超传统GDDR5或DDR4内存的带宽性能。该模块通过硅通孔技术（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直堆叠，缩短了内存与GPU或AI加速器之间的数据传输路径，从而降低了延迟并提高了能效。
该模块的另一个显著特点是其低功耗设计。由于采用了1.3V的工作电压和先进的低功耗架构，H9CKNNNBPTMRLR-NTH 在提供高带宽的同时，也能够满足现代高性能计算设备对能效的严格要求。此外，模块的封装设计确保了良好的热管理和信号完整性，适用于长时间高负载运行的计算环境。
H9CKNNNBPTMRLR-NTH 还具备出色的可靠性，适合在工业级和消费级应用中使用。其工作温度范围为0°C至85°C，使其能够在多种环境条件下稳定运行。该模块的设计还考虑了与主流GPU和AI加速器的兼容性，确保了广泛的适用性。
H9CKNNNBPTMRLR-NTH 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算设备，如高端图形显卡、AI加速卡、数据中心GPU加速器、深度学习训练和推理系统、高性能计算（HPC）设备、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备等。该模块的紧凑封装和高带宽特性使其成为需要在有限空间内实现极致性能的嵌入式和移动计算平台的理想选择。
H9HCPLRHUMUMDR-N21M, H9HKNNNDBPTMLR-N21M
