您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9CKNNNBPTATJR-NUH

H9CKNNNBPTATJR-NUH 发布时间 时间:2025/9/2 4:54:25 查看 阅读:8

H9CKNNNBPTATJR-NUH 是现代(SK Hynix)生产的一款高性能LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片,主要面向移动设备、高性能计算设备以及嵌入式系统。该芯片具有高带宽、低功耗和紧凑封装的特点,适用于对功耗和空间有严格要求的应用场景。

参数

类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:4GB(32Gb)
  封装:BGA
  频率:3200Mbps
  电压:1.1V(核心电压),1.8V(I/O电压)
  数据宽度:x16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:100-ball BGA
  制造厂商:SK Hynix

特性

H9CKNNNBPTATJR-NUH 是一款高性能的LPDDR4内存芯片,具备以下显著特性:
  1. 高带宽:该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率,能够在高负载应用中提供优异的性能表现,如高清视频处理、复杂图形渲染和大型应用程序运行。
  2. 低功耗设计:采用先进的低功耗架构,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,相较于前代LPDDR3内存,功耗显著降低,适用于电池供电设备,有助于延长续航时间。
  3. 高集成度:该芯片采用紧凑的100-ball BGA封装,占用空间小,便于在移动设备和嵌入式系统中布局,同时提供4GB的高容量,满足现代设备对大内存的需求。
  4. 稳定性和可靠性:支持宽温工作范围(-40°C至+85°C),可在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  5. 高兼容性:符合JEDEC标准,确保与其他LPDDR4控制器的兼容性,方便系统集成和升级。

应用

H9CKNNNBPTATJR-NUH 主要适用于对性能和功耗有较高要求的电子设备,包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统、工业控制设备以及车载信息娱乐系统等。其高带宽和低功耗特性使其成为高性能移动计算平台的理想内存解决方案。

替代型号

H9CP46ABPTATJR-NUH, H9CQ18ABPTATJR-NUH, H9CR18BBPTATJR-NUH

H9CKNNNBPTATJR-NUH推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价