时间：2025/9/2 13:19:42
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H9CKNNNBPTATDR-NUH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有高密度、高速度和低功耗的特点，适用于高端计算设备、服务器、网络设备和图形处理系统等需要大容量内存和快速数据处理能力的应用场景。H9CKNNNBPTATDR-NUH 采用了FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，确保了稳定性和可靠性。
容量：8GB
类型：DRAM
封装：FBGA
频率：1600MHz
电压：1.5V
数据宽度：x8
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H9CKNNNBPTATDR-NUH 是一款高性能的DRAM芯片，具有以下显著特性：
首先，这款芯片提供高达8GB的存储容量，能够满足现代计算系统对大容量内存的需求，尤其适用于服务器、工作站和高性能计算设备等场景。其x8数据宽度设计，使得每个存储单元的数据通道更加独立，提高了数据访问的效率，降低了信号干扰的可能性。
其次，H9CKNNNBPTATDR-NUH 支持1600MHz的工作频率，确保了高速数据传输能力，能够显著提升系统的运行效率和响应速度。这一特性使得它在图形处理、大数据分析和实时计算等高性能应用中表现出色。
该芯片采用1.5V的低压供电设计，符合JEDEC标准，具有良好的功耗控制能力。低电压不仅有助于降低整体系统的能耗，还能减少热量产生，提高系统的稳定性和长期运行的可靠性。
此外，H9CKNNNBPTATDR-NUH 使用FBGA封装技术，这种封装方式具有良好的散热性能和电气性能，能够有效减少信号延迟和噪声干扰，适用于高密度PCB布局和高频工作环境。
最后，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），能够在严苛的环境条件下稳定工作，适用于工业控制、通信设备和车载系统等复杂应用场景。
H9CKNNNBPTATDR-NUH 主要应用于高性能计算系统、服务器、网络设备、图形加速器、嵌入式系统以及工业自动化设备等领域。由于其高容量、高速度和低功耗的特性，特别适合需要大量数据处理和快速响应的应用场景。
H9CKNNNBPTATDR-NUH的替代型号包括：H9CKNNNBPTAxxxR-NUH系列、H9CPNNNCPTAxxxR-NUH、H9CQNNNCTAxxxR-NUH 等。
