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H9CKNNNBPTATDR-NTHR 发布时间 时间:2025/9/2 5:00:34 查看 阅读:7

H9CKNNNBPTATDR-NTHR是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为需要高带宽和低延迟的高端计算和图形应用设计。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具有出色的性能和可靠性。它广泛应用于现代计算机系统、服务器、图形处理器(GPU)以及高性能计算设备中,能够有效提升系统的整体运行效率。

参数

容量:8GB
  类型:GDDR6 SDRAM
  时钟频率:14Gbps
  电压:1.35V
  封装类型:FBGA
  数据总线宽度:32位
  工作温度范围:0°C至95°C

特性

H9CKNNNBPTATDR-NTHR是一款GDDR6 SDRAM芯片,专为高性能图形和计算应用设计。其主要特性包括高带宽、低功耗和卓越的热稳定性。该芯片的传输速率高达14Gbps,使其能够在高负载环境下提供卓越的性能表现。
  此外,H9CKNNNBPTATDR-NTHR采用了先进的信号校正技术,确保在高速传输过程中数据的完整性和稳定性。其1.35V的供电电压不仅降低了整体功耗,还减少了热量的产生,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  该芯片还支持多种高级功能,如动态时钟调节、自动刷新和温度补偿,以优化性能并确保在不同环境条件下的稳定运行。其FBGA封装形式有助于减少电路板空间占用,并提供良好的电气性能和散热能力。
  在制造工艺方面,H9CKNNNBPTATDR-NTHR采用了SK海力士先进的DRAM技术,结合高效的内存架构,使其在多任务处理和高负载计算场景下依然能够保持出色的性能表现。这使得该芯片成为高端显卡、AI加速器和高性能计算设备的理想选择。

应用

H9CKNNNBPTATDR-NTHR主要用于高端图形处理单元(GPU)、AI加速器、服务器和高性能计算系统。由于其高带宽和低延迟特性,该芯片也广泛应用于需要大量数据处理能力的领域,如深度学习、科学计算和实时渲染。

替代型号

H9CPNNN8GAMUFR-NMZR, H9CPCNN8GAMUFR-NMZR

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