时间：2025/9/2 10:10:11
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H9CKNNNBPTATDR-NTH 是由SK Hynix公司生产的一款高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）产品。这款存储器设计用于满足高性能计算（HPC）、图形处理、人工智能（AI）以及网络设备等对带宽和功耗效率有极高要求的应用场景。HBM技术通过3D堆叠工艺和硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，并直接连接到逻辑层，从而实现极高的数据传输速率和能效。H9CKNNNBPTATDR-NTH 是一款具体的型号，具备明确的规格参数和性能指标。
容量：8GB
封装类型：BGA（球栅阵列）封装
内存类型：高带宽内存（HBM2）
带宽：约307GB/s
数据速率：2.4Gbps
电压：1.3V
引脚数：1024
工作温度范围：0°C至+85°C
H9CKNNNBPTATDR-NTH 是基于HBM2标准的高性能存储器，其主要特性包括高带宽、低功耗和紧凑的封装设计。该芯片采用3D堆叠技术，将多个DRAM芯片通过硅通孔技术垂直连接，极大地减少了信号路径长度，从而实现了极高的数据传输速率。其带宽可达307GB/s，满足了高性能计算和图形处理中对内存带宽的极端需求。
此外，该存储器的工作电压为1.3V，相较于传统GDDR5或DDR4内存，具备更低的功耗特性，使其在能效方面表现优异。由于其BGA封装结构和硅通孔技术的应用，H9CKNNNBPTATDR-NTH 的封装尺寸非常紧凑，适合在空间受限的设备中使用，例如高端GPU、AI加速卡和高性能FPGA设备。
该存储器还支持错误校正码（ECC）功能，能够检测和纠正内存中的单比特错误，提高系统的稳定性和可靠性。此外，它还具备热传感器功能，能够监测芯片温度并进行动态调频，以防止过热损坏。
H9CKNNNBPTATDR-NTH 主要应用于需要极高内存带宽和低功耗特性的高端计算和图形处理领域。典型应用包括：
1. 高端GPU：如NVIDIA和AMD的旗舰级显卡，用于游戏、渲染和计算加速。
2. AI加速器：用于深度学习训练和推理任务，满足大规模并行计算对内存带宽的需求。
3. 高性能计算（HPC）：用于科学计算、仿真和大数据分析等需要高速数据处理的领域。
4. 网络设备：如高性能路由器和交换机，用于处理高速数据流。
5. FPGA系统：用于可编程逻辑器件中的高速缓存或显存。
H9CPNNNEPTMUDR-NTH | H9CQNNNEPTMUDR-NSA | H9CKNNNBPTATDR-NSA
