时间：2025/9/1 11:53:47
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H9CKNNNBPTATDR-NTH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）系列。这款内存芯片采用堆叠式封装技术，提供极高的数据传输速率和紧凑的封装尺寸，适用于需要高性能存储解决方案的计算和图形处理应用。
类型：DRAM
内存类型：HBM2
容量：8GB
数据速率：2.4Gbps
封装类型：FBGA
引脚数：1024
工作温度：-40°C ~ +85°C
电压：1.3V
接口：多层TSV（硅通孔）
H9CKNNNBPTATDR-NTH IC 的核心优势在于其采用HBM2技术，具备极高的带宽和紧凑的封装设计。与传统GDDR5或DDR4内存相比，该芯片通过硅通孔（TSV）技术实现了内存堆叠，显著减少了封装面积，同时提高了数据传输效率。此外，该芯片具备低功耗设计，适用于高密度计算环境，如GPU、AI加速器、高端游戏显卡以及高性能计算系统。
该芯片的2.4Gbps数据速率使其在图形处理和大规模并行计算中表现出色，能够满足对实时数据处理和高吞吐量要求严苛的应用场景。其FBGA封装结构也增强了芯片的机械稳定性和散热性能，确保在高负载运行下的可靠性。
此外，H9CKNNNBPTATDR-NTH 采用了先进的制造工艺，符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发需求。
该芯片广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、数据中心服务器、高端游戏显卡、虚拟现实（VR）设备以及需要高带宽内存的嵌入式系统。
H9CKNNNBPTATDR-NK, H9CKNNNBPTATDR-NE, H9CKNNNBPTATDR-NG
