时间：2025/9/2 0:00:51
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H9CKNNNBPTARLR-NTMDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4 SDRAM类别，通常用于高性能移动设备和嵌入式系统，提供高速数据存取能力。这款内存芯片在设计上注重低功耗和高带宽，适用于智能手机、平板电脑、以及其他需要高效能内存的便携式设备。
类型：DRAM
类别：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
数据宽度：16位
工作电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
最大时钟频率：3200MHz
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：178
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9CKNNNBPTARLR-NTMDC 具备低电压设计，有助于降低功耗并延长移动设备的电池寿命。其3200Mbps的数据速率提供了出色的内存带宽，支持复杂应用程序和多任务处理。此外，该芯片采用小型FBGA封装，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和电气性能，确保在高负载环境下仍能保持稳定运行。芯片内部还集成了纠错机制和刷新控制，以确保数据完整性。
H9CKNNNBPTARLR-NTMDC 主要用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及工业级计算设备。其高性能和低功耗特性使其成为需要大量内存带宽和能效优化的设备的理想选择。
H9CPNNNBPTAxxR-NTMDC
