类型：LPDDR4X SDRAM
　　容量：8GB（具体容量可能根据产品批次和需求有所不同）
　　接口：x16
　　电压：1.1V（核心电压）/0.6V（I/O电压）
　　频率：最高支持4266Mbps的数据传输速率
　　封装：FBGA
　　温度范围：商业级（0°C 至 +85°C）
　　工作电压：1.1V VDDQ 和 0.6V VDD

H9CCNNNCPTMLBR-NTD 具备多项先进技术，以满足高性能和低功耗的需求。其核心电压为1.1V，I/O电压为0.6V，相比LPDDR4标准，功耗显著降低，适合电池供电设备的应用场景。
　　该芯片支持高数据速率，最高可达4266Mbps，能够为移动设备提供快速的数据处理能力，提升整体系统性能。同时，其采用x16接口设计，简化了主板布线并提高了数据带宽的利用率。
　　此外，H9CCNNNCPTMLBR-NTD采用先进的制造工艺，确保了芯片的高可靠性和稳定性。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术使得芯片尺寸更小，适合高密度的PCB布局设计，同时有助于提高散热效率。
　　这款LPDDR4X内存芯片还支持多种节能模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode），以在不同使用场景下进一步降低功耗。

H9CCNNNCPTMLBR-NTD 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、AR/VR设备以及其他对内存性能要求较高的移动电子产品。其低功耗和高带宽特性也使其适用于需要长时间续航和高性能处理能力的智能穿戴设备和嵌入式计算平台。
　　在高端移动设备中，该内存芯片通常与高性能应用处理器配合使用，以实现流畅的多任务处理、高质量图形渲染和快速数据存取。此外，它也可用于需要大容量内存支持的AI边缘计算设备和物联网终端。

H9CCNNNCPTMLBR-NDA、H9CPSCSLDDRBRMUMA、H9CKNNNCPTMLBR-NUE