时间：2025/9/1 11:29:00
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H9CCNNNCPTALB 是由SK Hynix（海力士）生产的一款LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和体积有较高要求的电子产品中。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装形式，具备较高的数据传输速率和较低的工作电压，适合现代高性能移动设备的内存需求。
容量：4GB（32Gb）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：BGA
电压：1.1V（核心电压VDD），1.0V（I/O电压VDDQ）
频率：1600MHz（等效速率3200Mbps）
数据宽度：x32
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H9CCNNNCPTALB 的主要特性包括其低功耗设计，适用于电池供电设备；高速数据传输能力，满足高性能应用需求；采用先进的DRAM制造工艺，具备较高的稳定性和可靠性；支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式等，以优化系统功耗；具有自动刷新和自刷新功能，确保数据在低功耗状态下的完整性；此外，该芯片的封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并具备良好的热管理性能。
在时序控制方面，H9CCNNNCPTALB 支持可编程CAS延迟（CL）和写入延迟（CWL），允许系统根据实际需求进行优化。此外，它还支持命令和地址信号的校准（CA training）和数据信号的校准（Write leveling），以确保在高速运行时的信号完整性。该芯片还支持ZQ校准功能，用于维持输出驱动阻抗的稳定性，从而提高信号质量。
在制造和封装工艺上，H9CCNNNCPTALB 使用了先进的微型化封装技术，确保在有限的空间内提供高容量和高性能。其BGA封装形式具备良好的电气性能和热稳定性，适合高密度内存应用。
H9CCNNNCPTALB 主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及其他对高性能和低功耗内存有需求的电子设备。在移动计算平台中，该内存芯片能够提供足够的带宽和能效，以支持多任务处理、高清图形渲染和多媒体播放等功能。此外，它也可用于工业控制设备、医疗电子设备和物联网（IoT）设备中的主存模块。
H9CCNNNBCTALB, H9CCNNNDPTMMD, H9CKNNNCTMMD
