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H9CCNNNCPTALB 发布时间 时间:2025/9/1 11:29:00 查看 阅读:4

H9CCNNNCPTALB 是由SK Hynix(海力士)生产的一款LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片,主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和体积有较高要求的电子产品中。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装形式,具备较高的数据传输速率和较低的工作电压,适合现代高性能移动设备的内存需求。

参数

容量:4GB(32Gb)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装:BGA
  电压:1.1V(核心电压VDD),1.0V(I/O电压VDDQ)
  频率:1600MHz(等效速率3200Mbps)
  数据宽度:x32
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H9CCNNNCPTALB 的主要特性包括其低功耗设计,适用于电池供电设备;高速数据传输能力,满足高性能应用需求;采用先进的DRAM制造工艺,具备较高的稳定性和可靠性;支持多种低功耗模式,如深度掉电模式、自刷新模式等,以优化系统功耗;具有自动刷新和自刷新功能,确保数据在低功耗状态下的完整性;此外,该芯片的封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,并具备良好的热管理性能。
  在时序控制方面,H9CCNNNCPTALB 支持可编程CAS延迟(CL)和写入延迟(CWL),允许系统根据实际需求进行优化。此外,它还支持命令和地址信号的校准(CA training)和数据信号的校准(Write leveling),以确保在高速运行时的信号完整性。该芯片还支持ZQ校准功能,用于维持输出驱动阻抗的稳定性,从而提高信号质量。
  在制造和封装工艺上,H9CCNNNCPTALB 使用了先进的微型化封装技术,确保在有限的空间内提供高容量和高性能。其BGA封装形式具备良好的电气性能和热稳定性,适合高密度内存应用。

应用

H9CCNNNCPTALB 主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及其他对高性能和低功耗内存有需求的电子设备。在移动计算平台中,该内存芯片能够提供足够的带宽和能效,以支持多任务处理、高清图形渲染和多媒体播放等功能。此外,它也可用于工业控制设备、医疗电子设备和物联网(IoT)设备中的主存模块。

替代型号

H9CCNNNBCTALB, H9CCNNNDPTMMD, H9CKNNNCTMMD

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