容量：8GB（64Gb）
　　内存类型：LPDDR5 SDRAM
　　封装类型：BGA
　　数据速率：5500Mbps（MT/s）
　　工作电压：VDD1 = 1.02V ~ 1.18V，VDD2 = 0.48V ~ 0.68V
　　组织结构：x16
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口标准：JEDEC兼容
　　时钟频率：最高等效于5500Mbps数据速率
　　封装尺寸：134-ball FBGA

H9CCNNNCLTMLAR-NUM具有多项先进的性能和设计特点。其LPDDR5架构支持高速数据传输，同时通过多种低功耗技术（如深度睡眠模式、预充电省电模式）降低能耗，从而延长移动设备的电池续航时间。
　　该芯片支持动态电压和频率调节（DVFS），可以根据系统负载实时调整运行参数，进一步优化能效。此外，它还具备错误纠正码（ECC）功能，提升数据完整性和系统稳定性。
　　在性能方面，H9CCNNNCLTMLAR-NUM采用双通道架构，每个通道可独立工作，提高带宽利用率。其支持的命令总线训练（Command Bus Training）和写入校准（Write Calibration）功能，有助于确保高速运行时的信号完整性。
　　芯片内部集成了温度传感器，支持热管理功能，防止过热导致的系统不稳定。此外，该器件的封装设计优化了PCB布局空间，提高了系统集成度。

H9CCNNNCLTMLAR-NUM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统和高性能计算模块（如AI加速器、边缘计算设备）中。其高速、低功耗特性使其成为5G通信设备、AR/VR头显、智能汽车系统等新一代电子产品内存解决方案的优选。

H9HKNNNCRPMUAR-NUM, H9HCNNNCTUMUFR-NUM, H9HQNNNCTUMUFR-NUM