时间：2025/9/3 18:21:12
阅读：11
H9CCNNNCLTMLAR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能低功耗LPDDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该芯片设计用于移动设备和嵌入式系统，以满足对高性能和低功耗的严格要求。H9CCNNNCLTMLAR-NUD 采用高密度存储技术，提供了较大的存储容量和快速的数据传输速率，适用于高端智能手机、平板电脑、便携式电子产品以及其他对功耗敏感的应用。
容量：8GB
电压：1.1V / 1.8V
封装类型：FBGA
引脚数：168-pin
数据传输速率：3200Mbps
工作温度范围：-40°C至85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
H9CCNNNCLTMLAR-NUD 芯片具备多项先进的技术特性，以确保其在高要求的应用环境中的可靠性和性能。该芯片支持LPDDR4标准，提供高达3200Mbps的数据传输速率，显著提升了系统性能和响应速度。其低电压设计（1.1V I/O 和 1.8V VDDQ）降低了功耗，延长了设备的电池寿命。此外，该芯片采用168-pin FBGA封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电子设备。H9CCNNNCLTMLAR-NUD还支持多种节能模式，如深度掉电模式和自刷新模式，进一步优化了能耗管理。
在功能方面，这款存储芯片支持多种操作模式，包括突发模式、预充电模式和自动刷新模式，以满足不同的系统需求。其内部校准和温度补偿机制确保了在各种工作条件下数据的稳定性和完整性。此外，该芯片通过JEDEC标准认证，保证了与不同主控芯片的兼容性和互操作性。
H9CCNNNCLTMLAR-NUD 主要用于需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统。常见的应用包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备、便携式游戏机和车载信息娱乐系统。在这些应用中，该芯片可以提供快速的数据访问速度和高效的内存管理能力，满足现代应用程序对内存容量和性能的高要求。此外，由于其低功耗特性，该芯片也适用于对电池续航时间敏感的设备，帮助设计工程师在性能和功耗之间取得良好的平衡。
H9HQNNNCDMMUBR-NEC, H9HCNNNCLUMUBR-NEC
