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H9CCNNNBPTALBR 发布时间 时间:2025/9/1 21:21:53 查看 阅读:5

H9CCNNNBPTALBR 是由 SK Hynix(海力士)生产的一款 LPDDR4(低功耗双倍数据速率4代)内存芯片。这款内存芯片通常用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统和需要高效能内存的便携式电子产品中。LPDDR4 内存相比前代 LPDDR3 具有更高的数据传输速率和更低的功耗,使其在现代移动设备中广泛应用。

参数

名称:H9CCNNNBPTALBR
  类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:4GB(32Gb)
  封装类型:FBGA
  工作电压:1.1V(核心),1.8V(I/O)
  接口:x16
  数据速率:3200Mbps
  时钟频率:1600MHz
  封装尺寸:130-ball FBGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

H9CCNNNBPTALBR 具备多项先进的性能特性,首先是其 LPDDR4 技术所带来的高速数据传输能力,数据速率可达 3200Mbps,这使得其能够满足高性能处理器和图形处理器对内存带宽的需求。其次,该芯片采用双电压供电设计,核心电压为 1.1V,I/O 电压为 1.8V,从而在保证信号完整性的同时,显著降低整体功耗,非常适合电池供电设备。
  此外,H9CCNNNBPTALBR 采用 130-ball FBGA 封装,体积小巧,适用于空间受限的便携式设备。其支持多种节能模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗节省模式,进一步延长设备续航时间。
  在稳定性和可靠性方面,该芯片支持温度补偿自刷新(TCSR)和动态电压频率调节(DVFS)功能,确保在不同环境条件下都能保持稳定运行。其还支持命令/地址奇偶校验、写校验(Write CRC)和数据总线反转(DBI)等高级功能,提高数据传输的准确性和稳定性。

应用

H9CCNNNBPTALBR 主要用于高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制设备、嵌入式系统以及需要高带宽内存的边缘计算设备。其高带宽和低功耗特性使其成为高性能 SoC(系统级芯片)的理想内存解决方案,尤其适合用于图像处理、视频解码、人工智能推理等高负载任务场景。

替代型号

H9CPNNNCTMUMDR, H9CCNNNCTMUMDR, H9CKNNNCTMUMDR

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