时间：2025/9/1 21:21:53
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H9CCNNNBPTALBR 是由 SK Hynix（海力士）生产的一款 LPDDR4（低功耗双倍数据速率4代）内存芯片。这款内存芯片通常用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统和需要高效能内存的便携式电子产品中。LPDDR4 内存相比前代 LPDDR3 具有更高的数据传输速率和更低的功耗，使其在现代移动设备中广泛应用。
名称：H9CCNNNBPTALBR
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB（32Gb）
封装类型：FBGA
工作电压：1.1V（核心），1.8V（I/O）
接口：x16
数据速率：3200Mbps
时钟频率：1600MHz
封装尺寸：130-ball FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9CCNNNBPTALBR 具备多项先进的性能特性，首先是其 LPDDR4 技术所带来的高速数据传输能力，数据速率可达 3200Mbps，这使得其能够满足高性能处理器和图形处理器对内存带宽的需求。其次，该芯片采用双电压供电设计，核心电压为 1.1V，I/O 电压为 1.8V，从而在保证信号完整性的同时，显著降低整体功耗，非常适合电池供电设备。
此外，H9CCNNNBPTALBR 采用 130-ball FBGA 封装，体积小巧，适用于空间受限的便携式设备。其支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗节省模式，进一步延长设备续航时间。
在稳定性和可靠性方面，该芯片支持温度补偿自刷新（TCSR）和动态电压频率调节（DVFS）功能，确保在不同环境条件下都能保持稳定运行。其还支持命令/地址奇偶校验、写校验（Write CRC）和数据总线反转（DBI）等高级功能，提高数据传输的准确性和稳定性。
H9CCNNNBPTALBR 主要用于高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备、嵌入式系统以及需要高带宽内存的边缘计算设备。其高带宽和低功耗特性使其成为高性能 SoC（系统级芯片）的理想内存解决方案，尤其适合用于图像处理、视频解码、人工智能推理等高负载任务场景。
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