时间：2025/9/2 9:36:05
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H9CCNNNBLTMLAR-NTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片主要面向移动设备和嵌入式系统设计，提供高速数据传输和节能特性，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备。
容量：8Gb
组织结构：x16
电压：1.1V（核心电压VDD），1.1V（I/O电压VDDQ）
频率：3200Mbps
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
封装尺寸：100-ball
温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：LPDDR4
H9CCNNNBLTMLAR-NTM 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片，采用了先进的DRAM技术，具有低功耗和高速数据传输能力。其工作电压为1.1V，能够显著降低功耗，延长移动设备的电池寿命。
该芯片的数据传输速率为3200Mbps，支持高带宽应用，适用于需要快速处理大量数据的场景，如高清视频播放、多任务处理和图形密集型游戏。此外，其100-ball FBGA封装设计使其具有良好的电气性能和热管理能力，适合在紧凑的PCB布局中使用。
H9CCNNNBLTMLAR-NTM 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗节省模式，有助于进一步优化系统能效。其-40°C至+85°C的工作温度范围也确保了其在各种环境条件下的稳定运行。
该芯片具备优异的可靠性和稳定性，符合JEDEC标准的LPDDR4接口规范，可以与多种SoC（系统级芯片）平台兼容，简化了系统设计和集成过程。
H9CCNNNBLTMLAR-NTM 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等对内存性能和功耗要求较高的应用场合。其高速度和低功耗特性使其成为移动计算和边缘计算设备的理想选择。
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"H9CCNNNCTUMUDR-NTM",
"H9CCNNNBLTMLAR-NTE",
"H9CKNNNBLTMLAR-NTM"
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