类型：DRAM
　　子类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：通常为4GB或8GB（具体取决于版本）
　　封装类型：BGA（球栅阵列封装）
　　工作电压：1.1V
　　数据速率：最高可达4266 Mbps（具体取决于配置）
　　I/O接口：x16或x32
　　封装尺寸：通常为8mm x 12mm 或更小
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
　　工作频率：最高可达2133 MHz
　　带宽：约34.1 GB/s（具体取决于配置）

H9CCNNNBKTMLBR-NUM 作为一款先进的LPDDR4 DRAM芯片，具有多项显著的特性。首先，它的低功耗设计使其非常适合用于电池供电设备，如智能手机和平板电脑。相比前一代LPDDR3，LPDDR4 在电压上从1.2V降低到1.1V，从而在相同频率下显著降低了功耗。
　　其次，该芯片支持高达4266 Mbps的数据速率，提供更快的数据传输能力，从而提升了整体系统性能。这种高速特性使其非常适合用于需要高带宽的应用，如4K视频播放、高分辨率图像处理和多任务处理等。
　　此外，H9CCNNNBKTMLBR-NUM 还采用了x16或x32的I/O架构，允许更宽的数据总线，提高数据吞吐量。这种设计也有助于减少PCB布线的复杂性，并提高内存模块的可靠性。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down），这些模式可以根据系统需求动态调整，从而进一步优化功耗。
　　封装方面，采用BGA封装技术，不仅提供了良好的散热性能，而且在小型化设备中也更容易集成，适应现代电子产品对轻薄化的需求。

H9CCNNNBKTMLBR-NUM 主要用于高端移动设备，如旗舰智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高性能内存的嵌入式系统。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也广泛应用于需要实时数据处理的领域，如AR/VR设备、无人机、工业自动化控制系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及高性能计算模块（HPC）。此外，它还可以用于服务器和边缘计算设备中的低功耗内存扩展模块。

H9CCNNNBKTMLBR-NUM 可以被以下型号替代，具体取决于设计需求：H9HKNNNDBPMUDR-NEC（同样由SK Hynix生产的LPDDR4 DRAM芯片，容量和封装略有不同）、H9HQNNNDBPMUDR-NEC（另一款兼容的LPDDR4型号）、MT53B512M16A256A0-053 WT:B4-1G（Micron的LPDDR4 SDRAM芯片）以及K3UH5H50AM-ACMA（三星的LPDDR4产品）。在选择替代型号时，需确保封装兼容性、电气特性和时序要求与原设计一致。