时间：2025/9/2 4:56:00
阅读：10
H9CCNNNBKTMLBR-NTD是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储器类别，通常用于需要高性能内存解决方案的应用场景。其设计基于先进的半导体制造工艺，具有较高的存储密度和较快的存取速度。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：BGA
引脚数：512
工作电压：1.5V
数据速率：2400Mbps
时钟频率：1200MHz
带宽：72GB/s
存储器宽度：64位
工作温度范围：0°C至85°C
H9CCNNNBKTMLBR-NTD具备低功耗特性，适合需要高能效比的应用场景。
该芯片采用3D堆叠技术，以提高存储密度和带宽。
其封装形式为BGA（球栅阵列），有助于提高电气性能和散热效果。
该存储器具有高带宽特性，适用于高性能计算、图形处理、网络设备等对内存带宽要求较高的领域。
由于其高密度和高性能的特性，该芯片广泛应用于服务器、工作站、高端PC以及AI加速卡等领域。
H9CCNNNBKTMLBR-NTD主要应用于需要高带宽内存的系统，如GPU（图形处理单元）、AI加速器、高性能计算设备、服务器内存模块、高端游戏主机以及网络基础设施设备。由于其出色的性能，该芯片也被用于数据中心和云计算环境中的内存扩展解决方案。
H9CCNNNBKUMCPR-NTD
H9CCNNNBKTMGVR-NTD
